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镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响 :
偏压:偏压施加于工件上,反光杯注塑镀膜定做,在辉光清洗时工件(阴极)与炉体之间产生辉光放电,部分气被电子离化产生离子,离子(带正电)在负偏压作用下受工件吸引轰击清洗工件表面,偏压越大,对工件的轰击净化越干净,但同时工件本身的温升也越大,---是尖角位棱角位置;在离子轰击中用于加速离子,提高离子轰击工件表面的能量,去除表面氧化层和吸附物,达到提高膜层结合力的作用。





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真空镀膜之磁控溅射镀膜 :
电子的运动路径不仅很长,而且被电磁场束缚在靠近靶表面的等离子体区域内,在该区中电离出大量的离子用来轰击靶材,从而实现了磁控溅射沉积速率高的特点。随着碰撞次数的增加,电子的能量逐渐降低,同时逐步远离靶面。低能电子沿着磁力线来回振荡,待电子能量将耗尽时,在电场的作用下终沉积在基片上。由于该电子的能量很低,传给基片的能量很小,致使基片温升较低。由于磁极轴线处电场与磁场平行,电子将直接飞向基片。但是在磁控溅射装置中, 磁极轴线处离子密度很低, 所以这类电子很小,对基片温升作用不大。
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物理l气相沉积(真空镀膜)基本方法 :
1、从沉积粒子能量(中性原子)来看,真空蒸镀为0.1-1ev,溅射为1-10ev,离子镀为0.1-1ev(此外还有高能中性原子)。
2、从沉积速率来看,真空蒸镀为0.1-70μm/min,溅射为0.01-0.05μm/min(磁控溅射接近于真空蒸镀),离子镀为0.1-50μm/min。


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