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镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响:
靶基距:靶基距是影响成膜速率的重要因素之一,随着靶基距增加,被溅射材料射向基片时与气体分子碰撞的次数增多,同时等离子体密度也减弱,动能减少,沉积速率降低,但膜层外观较好。靶基距太小,led灯罩镀膜订做,沉积太快,工件温升大,膜层外观差。





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真空镀膜之多弧离子镀 :该装置的优点是阴极电弧源既是蒸发源和离化源 ,又是加热源和轰击源,不用熔池,弧源可任意方位,多源布置。离化率高,一般可达60%-80%蒸发沉积速率快, 入射粒子能量高,沉积膜的和附着性能好。可蒸发各种导电材料,金属或合金,led灯罩镀膜哪里有, 成份不受---。能进行反应镀膜,缺点是易于产生液滴,组织不致密。
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真空镀膜:一种产生薄膜材料的技术。在真空室内材料的原子从加热源离析出来打到被镀物体的表面上。此项技术用于生产激光唱片(光盘)上的铝镀膜和由掩膜在印刷电路板上镀金属膜。


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